| 行业 |
制程工序 |
洁净度要求 |
温湿度要求 |
引用规范 |
| 半导体 |
光刻工艺 |
ISO 1-3 级（每立方米≥0.1μm 颗粒≤10/100/1000 个）；露点温度≤-70℃ |
温度：22±0.5℃（波动 ±0.1℃）；湿度：45±5% RH（波动 ±2% RH） |
ISO 14644-1:2015、SEMI F21 |
| 半导体 |
刻蚀/CVD/沉积 |
ISO 3-5 级 |
温度：23±1℃；湿度：40±10% RH |
GB 50073-2013、SEMI S2 |
| 半导体 |
晶圆检测/量测 |
ISO 5 级 |
温度：22±0.5℃（波动 ±0.1℃）；湿度：无特殊明确要求（参考行业通用范围 40-65% RH） |
ISO 14644-1:2015、GB 50073-2013 |
| 半导体 |
封装测试 |
ISO 5-7 级 |
温度：22-25℃；湿度：45±5% RH |
GB 50472-2008 |
| 电子 |
SMT 贴片 |
ISO 5-7 级（0.5μm 颗粒≤3520/35200/293000 个/m³）；0201 元件区域需 ISO 5 级 |
温度：23±3℃；湿度：45-60% RH |
ISO 14644-1:2015、GB 50472-2008 |
| 电子 |
PCB 制造 |
曝光区 / 钻孔区 ISO 5 级；一般区域 ISO 7-8 级 |
温度：22±1℃；湿度：45±5% RH |
ISO 14644-1:2015、IEST-RP-CC018 |
| 电子 |
精密电子组装 |
ISO 7-8 级 |
温度：20-26℃；湿度：40-65% RH |
GB 50073-2013 |
| 光电 |
LCD 制造 |
核心区 ISO 5 级；辅助区 ISO 7 级 |
温度：23±1℃；湿度：45±5% RH |
GB 50472-2008、ISO 14644-1:2015 |
| 光电 |
OLED 制造 |
蒸镀工序 ISO 4 级（氧含量 < 0.1ppm）；封装前 ISO 1 级（氧 / 水 < 1ppm，惰性环境） |
温度：23±0.5℃；湿度：45±5% RH；柔性 OLED 贴合需 ±0.5℃/±5% RH 超稳定环境 |
ISO 14644-1:2015、SEMI 标准 |
| 光电 |
光学器件制造 |
ISO 4-5 级 |
温度：22±1℃；湿度：45±5% RH |
ISO 14644-1:2015、GB 50073-2013 |
